Struttua da machina d'attacco à plasma

L'apparecchiaçion ICP a consciste sorviatutto de quattro parte: camia à veuo pre-, camia d'attacco, scistema de fornitua de gas e scistema à veuo.

(1) Camia à veuo pre-

A fonçion da camia à veuo pre-a l’é de fâ de mòddo che a camia d’attacco a se mantëgne à un livello de veuo fisso, a no segge influensâ da l’ambiente esterno (comme pua, vapô d’ægua) e a l’isole di gas reisegoxi da-a stançia netta. O consciste int'unna covertua, un manipolatô, un meccaniximo de trasmiscion, unna pòrta d'isolamento, etc.

(2) Camia d’attacco

A camia d’attacco a l’é a struttua do nucleo de l’apparecchiaçion d’attacco ICP. O l'à un impatto diretto in sciô tasso d'attacco, in sciâ verticalitæ de l'attacco, e in sciâ rugositæ. I componenti prinçipæ da camia d’attacco son: elettrodo de d’ato, unitæ de radiofrequensa ICP, unitæ de radiofrequensa RF, scistema d’elettrodi in basso, scistema de contròllo da temperatua, etc.

(3) Scistema de fornitua de gas

O scistema de fornitua de gas o l’é de consegnâ diversci gas d’attacco inta camia d’attacco e de controllâ con cua o tasso de portâ e o flusso do gas atraverso o contròllo de prescion (PC) e o contròllo de portâ de massa (MFC). O scistema de fornitua de gas o consciste int'unna bottiglia de vivagne de gas, un conduto de fornitua de gas, un scistema de contròllo, unn'unitæ de mescciua, etc.

(4) Scistema a-o veuo
Gh’é doî scistemi à veuo, un pe-a camia à veuo pre-e l’atro pe-a camia d’attacco. A camia à veuo pre-a ven evacuâ da unna pompa mecanica. Solo quande o livello de veuo inta camia de veuo pre-o razzonze o valô stabilio a pòrta d’isolamento a peu ëse averta pe trasferî a wafer. O veuo inta camia d’attacco o l’é fornio da unna pompa mecanica e da unna pompa molecolare. I gas generæ da-a reaçion inta camia d’attacco vëgnan ascì evacuæ da-o scistema à veuo.